近日刘明院士团队在新型存储器研究领域取得重要进展。刘明院士科研团队研究论文成功入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会（Symposium on VLSI）。
刘明院士/吕杭炳研究员团队与复旦大学薛晓勇副教授合作首次提出了基于PMOS选择器的1T2R 结构RRAM单元，并采用分层位线和三态单元存储技术，使漏电流降低了90%以上。设计了电流精确补偿限流电路和自适应写驱动电路，大幅度提高了阵列的可靠性，同时开发了基于1T2R自身阵列特点的高速电流型读取电路，实现了极端条件下的高速读取。论文展示了28nm的1.5Mb RRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8 Mb /mm2。
芯片照片 芯片新能测试系统
刘明院士团队在RRAM方向的研究工作始于2005年，在基础物理、器件结构、电路设计等方向进行了系统深入的研究。研究团队于2015年开始先后与国内主要代工厂中芯国际、华力微电子及上海集成电路研发中心合作开发嵌入式RRAM的量产技术，在中芯国际28nm工艺平台、华力40nm工艺平台上开发了成套RRAM单元结构与集成技术，为在先进工艺节点上设计新一代低功耗、高性能SOC芯片提供了重要的技术平台，相关成果已经开始和终端企业合作推进产业化。在RRAM高密度三维集成方面，刘明院士团队提出了可与3D NAND相媲美的垂直三维集成架构，在国际上率先成功研制了4层（2015年 IEDM）与8层（2017年 IEDM）RRAM三维堆叠阵列，相关研究工作被国际同行列为近五十年来RRAM发展历史中重要事件之一。
相关工作得到国家自然基金委、科技部重点研发计划、中国科学院B类先导专项等项目的支持。
