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复旦大学芯片与系统前沿技术研究院于2020年1月正式成立，是校内独立的二级研究机构。研究院致力于未来信息技术中颠覆性器件、关键计算、存储芯片与系统的联合攻关，取得国际一流的信息技术原始创新成果。研究院重点开展后摩尔电子器件、新型存储技术及应用、新型计算技术及系统与异质集成技术方向的研究，获得重大原始创新和应用成果，对接上海具有全球影响力的科技创新中心建设，建立具有鲜明特色的国际一流信息技术研究中心，推动我国芯片产业的自主发展。
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新闻中心

刘明院士团队在硬件安全芯片领域取得突破性进展

近日刘明院士团队在新型存储器及硬件安全芯片研究领域取得重要进展。刘明院士科研团队研究论文成功入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会（SymposiumonVLSI）。在硬件安全芯片领域，刘明院士/吕杭炳研究员团队展示了一种利用电荷俘获鳍式晶体管（ChargeTrappingFinFET，CT-FinFET）器件短期阈值电压恢复特征的真随机数发生器（TRNG）芯片（如图）。研究人员创新地设计了一种时间-频率转换电路，将CT-FinFET阈值电压的弛豫时间转变为高速真随机数据流。该TRNG在-10~85℃范围，对幅度高达600mV和频率高达1.5GHz的功率噪声表现出极大的抗攻击能力。论文展示的TRNG芯片通过了NIST800-22和NIST800-90B所有的随机性测试项，是一种非常有潜力面向先进工艺节点的硬件安全解决方案。该项工作被组委会邀请参加今年VLSIDemoSession的展示。CT-FinFET结构与操作原理TRNG测试系统上述研究成果以题为“RobustTrueRandomNumberGeneratorUsingStochasticShort-TermRecovery

2020-07-01
刘明院士团队在新型存储器领域取得突破性进展

近日刘明院士团队在新型存储器研究领域取得重要进展。刘明院士科研团队研究论文成功入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会（SymposiumonVLSI）。刘明院士/吕杭炳研究员团队与复旦大学薛晓勇副教授合作首次提出了基于PMOS选择器的1T2R结构RRAM单元，并采用分层位线和三态单元存储技术，使漏电流降低了90%以上。设计了电流精确补偿限流电路和自适应写驱动电路，大幅度提高了阵列的可靠性，同时开发了基于1T2R自身阵列特点的高速电流型读取电路，实现了极端条件下的高速读取。论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2。芯片照片芯片新能测试系统刘明院士团队在RRAM方向的研究工作始于2005年，在基础物理、器件结构、电路设计等方向进行了系统深入的研究。研究团队于2015年开始先后与国内主要代工厂中芯国际、华力微电子及上海集成电路研发中心合作开发嵌入式RRAM的量产技术，在中芯国际28nm工艺平台、华力40nm工艺平台上开发了成套RRAM单元结构与集成技术，为在先进工艺节点上设计新一代低功耗、高性能SOC芯片提供了重要

2020-06-16

通知公告

研究成果

刘明院士团队在HfO2基铁电存储器研究领域取得了突破性进展

近日，微电子所电子器件与集成重点实验室刘明院士的科研团队在HfO2基铁电存储器研究领域取得了突破性进展。提出了一种基于Hf0.5Z0.5rO2（HZO）材料的铁电二极管（Fe-diode），并实现了三维集成。该成果于2020年3月13日以题为“AhighlyCMOScompatiblehafnia-basedferroelectricdiode”的论文在NatureCommunications期刊上发表（DOI:10.1038/s41467-019-13827-6）。微电子所罗庆副研究员和华师大成岩副教授为该文章第一作者，微电子所刘明院士、吕杭炳研究员为共同通讯作者。目前主流的计算机架构中，受限于存储介质的特性与技术发展，多级存储架构被广泛使用。片上缓存和DRAM内存读写速度快，但存储容量小，并且掉电后不能保持数据。基于硬盘/固态盘的外存读写速度慢，但存储容量大，并且掉电后可以保持数据。上述多级存储架构导致目前的计算机系统需要频繁地在不同存储层次间传递数据，降低了计算效率。研发高速、高密度的非易失存储器能够有效的解决上述问题。铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点，成为下一代非挥发

2020-07-03
刘明院士团队在类脑感知计算领域获重要进展

随着人工智能、物联网、云计算等新技术的发展，人类社会正由信息化向智能化发展。智能化社会的构建对信息技术的发展提出了更高的需求，系统需要能够对外界环境信息进行实时获取、高效处理并及时做出决策。由于采集的数据量越来越庞大，基于感存算分离的传统信息系统的计算能力和能效将无法满足智能终端的实时处理需求，因此发展“感存算一体化”的低功耗智能信息处理系统是信息技术发展的重要趋势。当前，传感器技术的发展为感知数据信息的实时采集提供了可能。在核心数据的处理问题上，脉冲神经网络（SNNs）由于其事件驱动和稀疏编码等优点，成为构建高能效的存算一体数据处理单元的理想选择，被认为是下一代神经形态计算技术。为实现脉冲机制的感存算一体智能处理系统，便需要构建高效的感知信息接口（生物学上称为传入神经）来建立脉冲数据处理单元与传感器之间的联系。该接口可以将传感器感知的模拟信号实时转换为用于脉冲数据处理单元处理的脉冲信号。然而，由于传统CMOS器件缺乏内在的动态特性导致接口电路复杂，不易于大规模集成，且CMOS器件即将达到其物理瓶颈，因此开发具有内在动态特性和可微缩的新原理器件来构建高效的脉冲感知信息接口成为一种有效的

2020-07-03

人才招聘

01

2020-07

教授/研究员招聘

一、研究方向：微电子、集成电路设计等相关方向二、岗位要求：1.具有国际顶级水准和跨学科视野，在相关领域已取得突出成就，获得国际同行认可，能够领衔组建相关研发团队的科学家、学术带头人。2.具有良好的学术道德、严谨的科学态度、良好的沟通及团队合作精神。三、福利待遇1.研究院为教授/研究员提供充足的科研经费、良好的工作条件和国际学术交流机会。2.研究院为教授/研究员提供具有竞争力的薪资。3.人才公寓和子女入学按照学校相关政策执行。四、应聘材料1.个人简历2.学位证明3.其它需要说明的问题五、应聘方式1.联系人：杨老师2.邮箱：yangyinglin@fudan.edu.cn）。2.联系地址：上海市邯郸路220号复旦大学微电子楼，邮编200433。
01

2020-07

副教授/副研究员

一、研究方向：微电子、集成电路等方向二、岗位要求：1.海内外知名高校、科研院所及相关行业公司的杰出科学家，具有较为广阔的跨学科视野以及很高的国际同行认可度。2.在重要学术刊物上发表过研究论文，具有扎实的理论基础和较强的外语水平。3.具有良好的学术道德、严谨的科学态度、良好的沟通及团队合作精神。三、福利待遇1.研究院为副教授/副研究员提供充足的科研经费、良好的工作条件和国际学术交流机会。2.研究院为副教授/副研究员提供具有竞争力的薪资。3.人才公寓和子女入学按照学校相关政策执行。四、应聘材料1.个人简历2.学位证明3.其它需要说明的问题五、应聘方式1.联系人：杨老师2.邮箱：yangyinglin@fudan.edu.cn3.联系地址：上海市邯郸路220号复旦大学微电子楼，邮编200433。
01

2020-07

青年研究员招聘

一、研究方向：1.新型逻辑器件、集成技术、芯片设计及应用研究。2.新型存储器件、集成技术、芯片设计及应用研究。3.智能传感器件、集成技术、芯片设计及应用研究。4.新型计算范式（存算一体、类脑计算、量子计算等）的基础理论、器件、电路、架构和算法研究。5.新型器件和电路的功能扩展及多功能异质异构集成技术研究。二、岗位要求：1.在相关研究方向已做出优秀成果，36周岁以下的青年科学家或行业工程师，具备独立开展研发工作的能力，候选人应具有一定的国际同行认可度。所学专业为物理、微电子、集成电路设计、计算机等相关领域。2.在重要学术刊物上发表过研究论文，具有扎实的理论基础和较强的外语水平。3.具有良好的学术道德、严谨的科学态度、良好的沟通及团队合作精神。三、福利待遇1.研究院为青年研究员提供充足的科研经费、良好的工作条件和国际学术交流机会。2.研究院为青年研究员提供具有竞争力的薪资。3.人才公寓和子女入学按照学校相关政策执行。四、应聘材料1.个人简历2.学位证明3.其它需要说明的问题五、应聘方式1.申请人请以“青年研究员申请-博士毕业院校-姓名”为邮件标题，将电子版材料发送至邮箱：yangyingl
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2020-07

青年副研究员招聘

一、研究方向：1.新型逻辑器件、集成技术、芯片设计及应用研究。2.新型存储器件、集成技术、芯片设计及应用研究。3.智能传感器件、集成技术、芯片设计及应用研究。4.新型计算范式（存算一体、类脑计算、量子计算等）的基础理论、器件、电路、架构和算法研究。5.新型器件和电路的功能扩展及多功能异质异构集成技术研究。二、岗位要求：1.在相关研究方向已做出优秀成果，36周岁以下的青年科学家或行业工程师，具备独立开展研发工作的能力，候选人应具有一定的国际同行认可度。所学专业为物理、微电子、集成电路设计、计算机等相关领域。2.在重要学术刊物上发表过研究论文，具有扎实的理论基础和较强的外语水平。3.具有良好的学术道德、严谨的科学态度、良好的沟通及团队合作精神。三、福利待遇1.研究院为青年副研究员提供充足的科研经费、良好的工作条件和国际学术交流机会。2.研究院为青年副研究员提供具有竞争力的薪资。3.人才公寓和子女入学按照学校相关政策执行。四、应聘材料1.个人简历2.学位证明3.其它需要说明的问题五、应聘方式1.申请人请以“青年副研究员申请-博士毕业院校-姓名”为邮件标题，将电子版材料发送至邮箱：yangyi

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